PI無氧烘箱工藝流程

  PI光刻膠是一種高性能、高精度的光刻膠，被廣泛應用于微電子、光電子、MEMS等領域

PI無氧烘箱工藝的必要性：

  PI光刻膠的預烘是將其涂覆在襯底上后，在特定溫度下進行一段時間的烘千，使PI溶液中的溶劑揮發掉，PI形成一定的網狀結構并增強其附著性。無氧烘箱用于半導體/電子/新材料/新能源等行業。BCB、PI、PBO膠固化，LCP新材料、鋰電池等產品熱處理。

PI無氧烘箱工藝流程要求（參考）：

1. 在低氧狀態下使用

2. 真空加熱，升溫至1xx℃

3. 再溫至1xx℃(約xh),保溫約 30min;

4. 繼續升溫至x00℃，視涂層厚度不同加熱10-x0min

5. 保溫 約60min；

6. 降溫至100℃以下
   

PI無氧烘箱性能：

溫度：室溫+50～400℃

氧濃度：≤10ppm 

真空度：1Torr

冷卻裝置：輔助降溫

控制方式：可程式運行

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 PI光刻膠的制備一般采用溶解法或乳化法。溶解法是將PI粉末在氮氣氣氛下溶于甲醇或丙酮等有機溶劑中，加入一定的表面活性齊并在攪拌和加熱條件下使其溶解成為PI溶液。乳化法是將PI顆粒懸浮于水相中，經過乳化劑的加入后與有機相反復振蕩，使PI成為均勻的乳狀體，最終得到PI乳液。